2022年11月30日，横空出世，迅速席卷全球。
一款小小的人工智能文字聊天机器人，为何有如此魔力？这就不得不提到人工智能的三大要素，算法，算力，和数据。然而算力的硬件支撑是CPU,GPU等算力芯片，而数据又离不开存储，存储的底层又逃不开存储芯片。
所以表面上看比的是人工智能，归根结底比的还是芯片，那么今天我们就来聊聊存储芯片。
Part.1
何为存储芯片
存储芯片，主要就是执行存储功能，把需要保存的东西保存下来。无论是电脑，手机，移动硬盘，u盘这些常见的电子设备都需要存储数据，他们都离不开存储器的支持。
存储芯片又是存储器的底层支撑。存储芯片是四大集成电路产品之一，占整个集成电路市场超过30%的规模。
存储芯片可分为非易失性存储芯片和易失性存储芯片。两者的主要区别是断电后能否保持数据。
大家都有过忘记点击保存，excel文件丢失的痛心经历吧，这部分数据的存储用的就是易失性存储，断电就会丢失数据，只有我们点击保存了，数据才会保存到硬盘中。这也是这两种存储器的核心区别。
（1）DRAM与SRAM
静态随机存取存储器(SRAM)中的静态意思是只要保持通电，SRAM就可以保存数据，而DRAM每隔一段时间还需要刷新电路，否则数据也会丢失。因此SRAM的性能更具优势，但是DRAM在体积和功耗上则更胜一筹。
(2)PROM,EPROM与
在非易失性存储芯片中，PROM存储器存储的信息只能被修改一次，修改后便不能再被修改。后来又发展出了EPROM和,区别是EPROM有可擦除功能,擦除后即可进行再编程，但擦除需要用紫外线进行照射。而不需要紫外线照射，仅仅用电信号可以进行擦除再编程。
EPROM不能取代RAM的原应是其工艺复杂, 耗费的门电路过多,且重编程时间比较长,同时其有效重编程次数也比较低.
(3)FLASH
FALSH即“闪存”，准确来说它是的改进产品，不仅可以像那样可以擦除再编程，而且断电后还不会损失数据，同时还可快速传输数据。
Flash目前主要是Intel于1988年开发出的NOR flash技术和1989年东芝公司开发的NAND flash技术.这两种技术的主要差别在于接口和内部存储结构。
首先NOR FLASH有独立的地址线和数据线，应用程序可以直接在内部运行，传输速度快，但价格比较贵，容量一般比较小。而NAND FLASH地址线和数据线是共用的I/O线，通过8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。Nand Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，所以更具成本优势。
Nand flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因此应用越来越广泛。
Part.2
全球存储芯片市场分布
截止市调机构2022年数据，目前NAND FLASH和DRAM占据全球超过97%的市场份额，而其他存储芯片加起来还不到3%。
而根据发改委第三季度数据统计DRAM芯片中，三星，SK海力士，与美光，三家公司占据了全球超过95%的市场份额。其中三星业务收入为74.0亿美元，环比下降33.5%，占比40.7%；SK海力士业务收入为52.4亿美元，环比下降25.2%，占比28.8%；美光业务收入为48.1亿美元，环比下降23.3%，占比26.4%。
根据国家发改委数据，2022年第二季度全球NAND闪存市场规模为181.2亿美元，环比增长1.1%。全球前三大NAND闪存厂商韩国三星、SK海力士和日本铠侠合计市场占比近69%。其中，三星收入为59.8亿美元，市场占比为33.0%；SK海力士收入为36.2亿美元，市场占比为19.9%；铠侠收入为28.3亿美元，市场占比为15.6%。
Part.3
存储芯片产业链及主要公司
（1）存储芯片产业链上游
存储芯片产业链的上游依然是半导体材料和设备等半导体支撑企业。
其中半导体材料主要包括硅片，对应的公司有TCL中环，沪硅产业，立昂微等；光刻胶对应的公司主要有南大光电，上海新阳，容大感光等；靶材主要有江丰电子，有研新材等；电子特气主要有华特气体，凯美特气等；抛光材料主要有安集科技，鼎龙股份等企业。
半导体设备企业国内主要有光刻机产业的大族激光，晶瑞新材，张江高科，赛维电子；PVD设备的北方华创，京山轻机等，CVD设备的北方华创，南大光电，拓荆科技；刻蚀设备的中微公司，北方华创等，以及封测设备的长川科技，科磊半导体，华峰测控等；
（2）存储芯片产业链中下游
存储芯片中游主要是存储芯片生产供应商，国外公司主要是全球知名的三星电子，SK海力士，美光，铠侠。国内公司亦有不小的突破：
其中兆易创新在NOR Flash领域，市场占有率全球第三、中国第一。其Flash产品在性能、可靠性方面具有行业领先优势。
长鑫存储专门从事随机存取存储芯片 (DRAM) 的生产与研发，在移动终端、电脑和服务器等领域被广泛地应用，公司倡导以存储科技赋能信息社会，改善人类生活。
长江存储专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。
存储芯片的产业链下游则主要应用在消费电子，汽车电子，信息通信，高新科技等各个领域。
Part.4
存算一体
在传统的冯·诺依曼架构中，计算与内存是两个分离的单元，计算单元根据指令从内存中读取数据，在计算单元中完 成计算和处理，完成后再将数据存回内存。
存算一体技术概念的形成，最早可以追溯到上个世纪70年代。随着云计算和人工智能技术的发展，面对计算中心的数据洪流，数据搬运慢、搬运能耗大等问题成为了计算的关键瓶颈。
在过去二十年，处理器性能以每年大约55%的速度提升，内存性能的提升速度每年只有10%左右，远远跟不上需求。
存算一体是一种新型计算架构，它是在存储器中嵌入计算能力，将存储单元和计算单元合为一体，省去了计算过程中数据搬运环节， 消除了由于数据搬运带来的功耗和延迟，提升计算能效。
HBM:AI存算一体化关键技术
HBM（High ，高带宽内存）是一款新型的CPU/GPU 内存芯片，其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。
以HBM为主要代表的存算一体芯片能够通过2.5D/3D堆叠，将多个存储芯片与处理器芯片封装在一起，克服单一封装内带宽的限制、增加带宽、扩展内存容量、并减少数据存储的延迟。
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